Production efficace d’installations avancéesqui peut se diviser en diodes germanium (Ge tubes) et diodes de silicium (Si tubes) selon les matériaux semi-conducteurs utilisés. Selon ses différentes utilisations, il peut être divisé en diode détecteur, diode redresseur, diode stable, changer la diode et ainsi de suite. Selon la structure de base, il peut être divisé en point contact diode, diode contact surface et planar diode. Point contact diode est une pression d’un fil très mince sur la surface de la plaquette de semi-conducteur qui est lumineuse et propre, avec courant d’impulsion, touché le fil fin de frittage fermement avec la puce, formant une jonction p-n. En raison du point de contact, courant faible (pas plus de quelques dizaines de milliampères) est autorisé, qui est adapté aux petits circuits de courant haute fréquence, telles que la détection de la radio.
La « jonction PN » de la diode contact surface est plus grande et permet un plus grand courant (un peu à quelques dizaines), qui est principalement utilisé pour convertir le courant alternatif en circuit « redresseur » courant continu.
Planar diode est une sorte de diode silicium spéciale, qui peut non seulement passer grand courant, mais ont également des performances stables et fiables, qui sont utilisé dans les interrupteurs, les légumineuses et les circuits de haute fréquence.
Fonctionnement des diodes.
La diode de cristal est une jonction p-n formée par semi-conducteur de type p et semi-conducteur de type n, formant une couche de charge d’espace des deux côtés de l’interface, et un champ électrique auto-construction est construit. Lorsqu’il n’y a aucune tension externe, la dérive actuelle causée par la différence de concentration de porteurs entre la jonction p-n et le champ électrique auto-construction est égale à l’état d’équilibre électrique.
Lorsque la tension externe est compensée, l’interaction entre le champ électrique et le champ électrique auto-construits augmente le courant de la diffusion du transporteur et provoque le courant vers l’avant.
Lorsqu’il existe un décalage de tension inverse, le champ électrique et le champ électrique auto-construction sont renforcées et la saturation inverse I0 actuel, qui est indépendante de la tension de polarisation inverse, est formé dans une certaine plage de tension inverse.
Lorsqu’il est couplé avec la tension inverse insuffisant, l’intensité de champ électrique de jonction p-n dans les tronçons de couche de charge d’espace la valeur critique du processus de multiplication de transporteur, produire un grand nombre de paire électron trou, grand produit inversée panne courant valeur, appelée le phénomène de ventilation de diode.
La conductivité d’une diode.
La plus importante caractéristique d’une diode est la conductivité unidirectionnelle. Dans le circuit, le courant peut seulement circuler du pôle positif de la diode, la sortie négative. Les caractéristiques et inverses de diodes sont démontrées par des expériences simples.